RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.4
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
3200
Около 8 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
46
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
25600
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2660
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link