RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Puntuación global
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
65
En -183% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
2,451.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,605.9
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,451.8
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
878
2532
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link