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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Puntuación global
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
65
En -183% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
2,451.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,605.9
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,451.8
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
878
2532
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
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