RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB против SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Средняя оценка
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
65
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.8
2,451.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,605.9
16.4
Скорость записи, Гб/сек
2,451.8
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
878
2532
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link