RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
65
Por volta de -183% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
2,451.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,605.9
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,451.8
8.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
878
2532
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link