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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Note globale
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
65
Autour de -183% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
2,451.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,605.9
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,451.8
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
878
2532
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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