RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16.4
    テスト平均値
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 65
    周辺 -183% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.8 left arrow 2,451.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    4,605.9 left arrow 16.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,451.8 left arrow 8.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    878 left arrow 2532

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
メモリRAM