RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
77
En -120% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2903
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link