RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
77
Около -120% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2903
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link