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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
45
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
1900
En 13.47% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
45
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
1900
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2387
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
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Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
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