Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    33 left arrow 45
    Wokół strony 27% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    17.6 left arrow 11.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.0 left arrow 8.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 1900
    Wokół strony 13.47% większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    33 left arrow 45
  • Prędkość odczytu, GB/s
    17.6 left arrow 11.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    12.0 left arrow 8.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    25600 left arrow 1900
Other
  • Opis
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2910 left arrow 2387
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania