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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
45
Por volta de 27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
1900
Por volta de 13.47% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
45
Velocidade de leitura, GB/s
17.6
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
8.4
Largura de banda de memória, mbps
25600
1900
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2910
2387
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991586 2GB
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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
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