RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
45
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
1900
Около 13.47% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
45
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
11.7
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
1900
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2387
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link