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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

総合得点
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

総合得点
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 45
    周辺 27% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.6 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 1900
    周辺 13.47% 高帯域
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 45
  • 読み出し速度、GB/s
    17.6 left arrow 11.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 8.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 1900
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow no data
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2910 left arrow 2387

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