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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Compara
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation T 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation T 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
51
En -143% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
21
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2049
2801
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
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