RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
27
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
22
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3035
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Jinyu 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link