RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
104
En -225% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2902
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link