RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
104
Autour de -225% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2902
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link