RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
104
En -271% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
3080
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link