RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
104
En -189% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2946
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link