RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
12.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
104
Intorno -189% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
36
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2946
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link