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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
12.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
104
Por volta de -189% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
12.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2946
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
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