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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
104
En -126% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
46
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2660
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
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Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
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