Comparación de la memoria RAM Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Inmos + 256MB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Inmos + 256MB

Puntuación global

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Razones a tener en cuenta
Inmos + 256MB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

30 65

En -117% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.1 1,574.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

16800 5300

En 3.17 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Inmos + 256MB

Principales características

Other

Descripción

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 667 MHz no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

607 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns