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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
68
89
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
1,702.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
89
Velocidad de lectura, GB/s
3,886.6
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,702.6
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
654
1518
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
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Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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