Porównanie pamięci RAM Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Wynik ogólny

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

68 89

Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

3 13.6

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Większa szybkość zapisu, GB/s

6.8 1,702.6

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 5300

Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

654 1518

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns