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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
68
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
1,702.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
54
Velocidad de lectura, GB/s
3,886.6
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,702.6
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
654
2511
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
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