RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Compara
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
43
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
43
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
2501
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Informar de un error
×
Bug description
Source link