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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
43
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
43
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
2501
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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