RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
43
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
43
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
2501
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link