RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
43
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
43
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.6
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
2501
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link