RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Comparez
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Note globale
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
43
Autour de 44% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
43
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
12.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2196
2501
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link