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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
43
Por volta de 44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
9.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
43
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.6
9.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2196
2501
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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