Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 43

Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.9 12.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.6 9.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 17000

Около 1.13% выше полоса пропускания

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

24 43
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 12.2
Скорость записи, Гб/сек

10.6 9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 17000

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2196 2501

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB

Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB

SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB

Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB

G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 9905630-039.A00G 16GB

Kingston 9905630-039.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB

A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB

модули RAM