Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 43

Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.9 12.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.6 9.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 17000

Около 1.13% выше полоса пропускания

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

24 43
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 12.2
Скорость записи, Гб/сек

10.6 9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 17000

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2196 2501

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston KHX2400C15/16G 16GB

Kingston KHX2400C15/16G 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB

Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB

Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston KKRVFX-MIE 8GB

Kingston KKRVFX-MIE 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB

Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB

Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB

модули RAM