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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
67
En 39% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
67
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2016
1879
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-035.A00G 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
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Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
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