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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
67
左右 39% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
13.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
67
读取速度,GB/s
13.3
16.7
写入速度,GB/s
9.0
9.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
1879
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DM0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
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