RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
99
En 73% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.1
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
99
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
1358
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link