RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
2761
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link