RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
2761
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link