SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB vs Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

Puntuación global
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SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB

Puntuación global
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Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 13
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    43 left arrow 54
    En -26% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.6 left arrow 2,228.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 6400
    En 2 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    54 left arrow 43
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,204.8 left arrow 13.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,228.5 left arrow 7.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    649 left arrow 1994
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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