SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB vs Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 13
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    43 left arrow 54
    Intorno -26% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.6 left arrow 2,228.5
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 6400
    Intorno 2 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    54 left arrow 43
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,204.8 left arrow 13.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,228.5 left arrow 7.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    649 left arrow 1994
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