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SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB vs Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

総合得点
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SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB

総合得点
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Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 13
    テスト平均値
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    43 left arrow 54
    周辺 -26% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.6 left arrow 2,228.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 6400
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 43
  • 読み出し速度、GB/s
    4,204.8 left arrow 13.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,228.5 left arrow 7.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    649 left arrow 1994

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