SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB vs Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

Note globale
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SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB

Note globale
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Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 13
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    43 left arrow 54
    Autour de -26% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    7.6 left arrow 2,228.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    12800 left arrow 6400
    Autour de 2 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP512U64CP8-S5 1GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    54 left arrow 43
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,204.8 left arrow 13.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,228.5 left arrow 7.6
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    649 left arrow 1994
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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