takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Puntuación global
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Puntuación global
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Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 50
    En -85% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    9.7 left arrow 3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    6.8 left arrow 1,457.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 6400
    En 2.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    50 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,757.3 left arrow 9.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,457.4 left arrow 6.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    557 left arrow 1767
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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