RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
50
Autour de -85% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.7
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.8
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
9.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
1767
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Lenovo 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link