takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    27 left arrow 50
    Wokół strony -85% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    9.7 left arrow 3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    6.8 left arrow 1,457.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 6400
    Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    50 left arrow 27
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,757.3 left arrow 9.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,457.4 left arrow 6.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    557 left arrow 1767
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania