RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Compara
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
77
En 43% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
5.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.1
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
77
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
5.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1853
1440
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Informar de un error
×
Bug description
Source link