RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
77
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
5.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
77
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
1440
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link