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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
77
左右 43% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
5.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.1
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
77
读取速度,GB/s
10.9
13.1
写入速度,GB/s
7.5
5.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
1440
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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