Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB против Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

-->

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Средняя оценка

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

44 77

Около 43% меньшая задержка
Выше скорость записи

7.5 5.5

Среднее значение в тестах

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.1 10.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 77
Скорость чтения, Гб/сек

10.9 13.1
Скорость записи, Гб/сек

7.5 5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1853 1440

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB

Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB

Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Kingston 9905624-036.A00G 8GB

Kingston 9905624-036.A00G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N

модули RAM

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 9905630-031.A00G 16GB

Kingston 9905630-031.A00G 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

AMD R748G2400U2S-UO 8GB

AMD R748G2400U2S-UO 8GB

модули RAM