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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Comparar
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
77
Por volta de 43% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.5
5.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.1
10.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
77
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
5.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1853
1440
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
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