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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Inmos + 256MB
Comparez
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Inmos + 256MB
Note globale
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Note globale
Inmos + 256MB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Inmos + 256MB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
62
Autour de -107% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
2,378.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
16800
6400
Autour de 2.63 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Inmos + 256MB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,670.6
11.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,378.6
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
16800
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
861
2318
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaison des RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Inmos + 256MB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Inmos + 256MB
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
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