Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
SK Hynix Kingston 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB vs SK Hynix Kingston 4GB

Note globale
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB

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SK Hynix Kingston 4GB

SK Hynix Kingston 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    24 left arrow 53
    Autour de 55% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.8 left arrow 1,544.0
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    10600 left arrow 6400
    Autour de 1.66% bande passante supérieure
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 15.5
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338Chips 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    24 left arrow 53
  • Vitesse de lecture, GB/s
    15.5 left arrow 3,538.2
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.8 left arrow 1,544.0
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 6400
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2444 left arrow 529
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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